제조업체 제품 번호:
BSC106N025S G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
BSC106N025S G-DG
설명:
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON
상세 설명:
N-Channel 25 V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
재고:
12837307
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
BSC106N025S G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13A (Ta), 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
10.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 20µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1370 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.8W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TDSON-8-1
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000095470
BSC106N025SGXT
BSC106N025S G-DG
BSC106N025SG
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
CSD16410Q5A
제조사
Texas Instruments
구매 가능 수량
2506
부품 번호
CSD16410Q5A-DG
단가
0.27
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
FQD7P20TM_F080
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
IRLR230ATF
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
FCP067N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A TO220